ГЛОССАРИЙ  НЕКОТОРЫХ  КОМПЬЮТЕРНЫХ  ТЕРМИНОВ

A  B  C  D  E  F  G  H  I  J  K  L  M  N  O  P  Q  R  S  T  U  V  W  Z 

Access Cycle
- цикл обращения - последовательность (иногда ее длительность) операций устройства памяти между двумя последовательными актами чтения либо записи. Включает в себя, в частности, все операции, связанные с указанием адреса информации.
Access Time
- время доступа (иногда ошибочно именуется скоростью) - время, необходимое на полный цикл обращения к информации, хранящейся по случайному адресу в чипе или модуле. Нужно иметь в виду, что в реальных условиях обращение чаще всего происходит не по случайному адресу, что позволяет использовать сокращенный цикл.
ACPI
- Advanced Configuration and Power Interface - современный интерфейс конфигурирования и управления энергопотреблением - стандарт, разработанный фирмами Intel, Microsoft и Toshiba для унификации функций управления энергопотреблением компьютера. Является ключевым элементом Operating System Directed Power Management (OSPM - непосредственное управление энергопотреблением операционной системой). Стандарт претерпел существенные изменения по сравнению с ранее применявшимся стандартом Advanced Power Management (APM) BIOS Specification, Revision 1.2. ACPI учитывает даже температуру материнской платы и процессора, позволяет "усыплять" компьютер программно в режиме, например, ожидания приема факса ночью и т.п. Стандарт требует обязательной поддержки со стороны как BIOS материнской платы, так и операционной системы.
Address Depth
- глубина адресного пространства - количество бит, которые могут быть сохранены на каждой линии ввода/вывода чипа или модуля.
Address Line
- адресная линия - одна из линий, используемых для указания адреса запрашиваемой или сохраняемой информации. Поскольку информация организована в виде матрицы, адресные линии за полный цикл доступа используются дважды - для указания номера строки (RAS) и столбца (CAS). Поэтому число необходимых адресных линий равно 1/2log2A, где A - размер адресного пространства (например, 10 для 1 мегабит), при условии, что матрица квадратная, что не всегда верно.
AGP
(Accelerated Graphics Port) - специальная графическая шина, благодаря которой удалось значительно увеличить пропускную способность видеопотока по сравнению с шиной PCI. AGP - технология, позволяющая графическому процессору получить доступ к оперативной памяти, минуя основной процессор. В отличие от unified memory у видеоподсистем с AGP в качестве буфера кадров по-прежнему используется высокоскоростная видеопамять. Шина AGP работает в режиме 1х (66 МГц) или 2х (133 МГц) с максимальной пропускной способностью 533 Мбайт/с. На сегодняшний день имеются чипсеты c поддержкой режима AGP 4x, планируется выпуск 8x.
Architecture
- архитектура - совокупность характеристик модуля памяти (включая тип памяти, емкость, время доступа, электрическую и логическую схему, разводку контактов и форм-фактор), полностью этот модуль определяющих. Теоретически два модуля одинаковой архитектуры должны быть полностью взаимозаменяемыми. Иногда под архитектурой понимают организацию модуля, что не совсем корректно (скажем, организация далеко не всегда однозначно определяет тип модуля).
Asynchronous
- асинхронный. Термин применяется к устройствам памяти, цикл обращения к которым состоит из стадий, имеющих разную длительность, что не позволяет оптимизировать совместную работу подсистемы памяти и процессора. В настоящее время происходит вытеснение асинхронных устройств синхронными.
ATX
(AT eXtension) - расширение формата AT - предложенный в 1995 году конструктив корпуса персонального компьютера и, соответственно, форм-фактор материнской платы. Начал массово использоваться после появления процессоров Pentium II, так как материнские платы для этого процессора выпускаются только в формате ATX (за очень редким исключением). Основные отличия от классического конструктива:
Audio RAM
- термин, иногда применяемый в индустрии для партий микросхем, имеющих серьезные производственные дефекты (например, не работает одна из линий ввода-вывода). Нередко такие микросхемы реализуются по низким ценам для применения в устройствах бытовой электроники, в частности, в качестве буферов в проигрывателях компакт-дисков (отсюда название). К сожалению, имеются прецеденты изготовления модулей памяти на основе таких микросхем. Косвенные признаки таких модулей - отсутствие маркировки либо явная перемаркировка чипов, а также их необычное число.
Bandwidth
- пропускная способность, т.е. объем информации, который может пройти через систему в единицу времени. Применительно к подсистеме памяти - произведение пропускной способности линии ввода-вывода на ширину шины. Поскольку изменение последней в рамках принятой архитектуры "поколения" компьютеров невозможно, большинство новых технологий памяти имеют целью увеличение первой, которая фактически обратна времени доступа (с учетом сокращенного цикла).
Bank
- банк
  1. = slot
  2. Группа модулей памяти одинаковой емкости, которые должны быть установлены одновременно, чтобы система могла работать. Количество модулей равняется отношению ширины системной шины к ширине шины модуля (умноженному на коэффициент interleave). Некоторые компьютеры способны работать с неполным банком памяти, но ценой значительного падения быстродействия.
  3. Логическая единица внутри модуля памяти, см. dual-bank. Поскольку адресное пространство организовано в виде квадратной (как правило) матрицы, увеличения чила адресных линий на 1 (т.е. максимально возможного адреса - вдвое) приводит к 4-кратному увеличению адресного пространства (поэтому емкость 30-контактных SIMM росла с инкрементом 4). Для 72-контактных SIMM была введена возможность увеличения емкости модуля вдвое путем монтажа на одной плате двух комплектов чипов, причем обращение ко второму комплекту просиходит за счет дополнительных RAS. Это, в частности, 8 и 32 MB SIMM, которые в отличие от 4 и 16 MB называются "двухбанковыми" li>Часть чипа SDRAM, доступ к которой возможен независимо от другой части. Эта возможность используется для interleave на уровне чипа.
BEDO
(Burst EDO) - более быстрая (в тактах, а не наносекундах) разновидность EDO RAM. О поддержке этого стандарта производители чипсетов заявляли уже давно, однако BEDO RAM так и не появилась на рынке, и, судя по всему, уже никогда не появится, проиграв более быстрой SDRAM.
Bit
- бит. Мельчайшая единица хранения и передачи информации, соответствует логическому устройству, имеющему только два возможных состояния - 0 или 1. Обозначается строчной буквой b.
Brand-name
  1. для чипов и/или модулей = major или major/major
  2. для модулей - подразумевает то, что модуль сделан известным (соблюдающим стандарты и высокое качество) производителем и имеет его маркировку. Единого мнения о том, каких производителей считать известными, не существует.
  3. для систем - тот факт, что система произведена крупным производителем компьютерной техники, который специально продает модули расширения памяти со своей маркировкой и рекомендует использовать именно их. Можно применить термин и к самим модулям, однако как правило они представляют собой совершенно стандартные (или, изредка, произведенные по субконтракту) устройства с дополнительной маркировкой (чаще всего при этом являясь brand-name в определениях 1 или 2).
Buffered
- буферизованный (модуль). Из-за высокой совокупной электрической емкости современных модулей памяти большой собственно емкости время их "зарядки" становится недопустимо большим, что приводит к потере тактов. Чтобы избежать этого, некоторые модули (как правило, 168-контактные DIMM) снабжаются специальной микросхемой (буфером), которая сохраняет поступившие данные относительно быстро, что освобождает контроллер. Буферизованные DIMM, как правило, несовместимы с небуферизованными, поэтому эти два типа DIMM имеют разное положение одного из ключей.
Burst Mode
- пакетный режим, в отличие от обычного режима, при котором запрос по адресу возвращает только данные по этому адресу, в этом режиме такой запрос возвращает пакет данных по этому и последующим адресам.
Bus
- шина. Совокупность линий ввода-вывода, по которым информация передается одновременно. Ширина и частота шины естественным образом влияет на пропускную способность. Под главной, или системной шиной понимается шина между процессором и подсистемой памяти.
Bus Frequency
- частота шины. Как правило, термин применяется к главной шине компьютера, т.е. той, на частоте которой работает память. Для современных процессоров и чипсетов Intel пока официально не превышает 66MHz, однако ожидается увеличение. Иногда называется внешней частотой.
Bus Master
- Хозяин шины - возможный режим работы устройства на любой шине (в том числе и на PCI). Для работы в таком режиме устройство выдает запрос арбитру шины, сообщая о своем требовании на получение управления шиной. Арбитр, в соответствии с приоритетом и/или очередностью арбитража на данной шине через определенное в документации на шину время после запроса отдает запрашивающему устройству управление шиной. Выполнив все необходимые ему операции, устройство сообщает арбитру об освобождении им шины.
          На современных шинах, таких как PCI, для получения доступа к шине ВСЕ устройства проходят процедуру арбитража, в том числе и центральный процессор. Возможность быть Bus Master'ом должна быть обязательно реализована аппаратно при разработке устройства. Реализация механизма Bus Master позволяет общаться между собой только тем компонентам компьютера, которым это в данный момент нужно и не занимать понапрасну ненужные им для этого общения устройства. Этот механизм используется, например, для передачи, например, TV-тюнером на PCI данных в видеокарту, также находящуюся на этой шине, без участия центрального процессора, системной памяти и т.п.
Bus Width
- ширина шины - количество линий ввода-вывода, т.е. число бит, которое может быть передано одновременно (для устройств с контролем четности из этого количества иногда исключают линии, "отвечающие" за четность, как не передающие информации). Для системной шины определяется в первую очередь типом процессора. Увеличение ширины системной шины - простой способ увеличить общую производительность системы, однако это требует коренной перестройки программного обеспечения и периферии. Все процессоры, начиная с Pentium, имеют ширину шины 64 бит. Размер одного банка памяти кратен (как правило, равняется) ширине системной шины.
Byte
- байт - единица информации, состоящая из 8 бит, широко используется для практического измерения объемов данных (например, размера файла, а также, что важно для нас, объема оперативной памяти). Обозначается заглавной буквой B.
Cache Memory
- Кэш-память - Память, необходимая для того, чтобы центральный процессор меньше простаивал из-за низкого быстродействия основной памяти, расположена между процессором и основной памятью. Изготавливается на микросхемах статической памяти (не требующей регенерации), значительно более быстродействующей, чем память типа DRAM. Играет роль буфера между процессором и медленной динамической памятью. Кэш-память значительно дороже DRAM, поэтому ее объем, как правило, не превышает 512 Kb. Объем и быстродействие кэш-памяти является определяющими параметрами быстродействия материнской платы и/или центрального процессора для подавляющего большинства задач, решаемых на компьютере. Цифры впечатляющей разницы в быстродействии между различными видами DRAM уменьшаются в десятки раз при оценке производительности компьютера в целом из-за кэш-памяти. Для еще большего увеличения быстродействия кэш-памяти она часто встраивается в собственно кристалл процессора и работает при этом на той же тактовой частоте, что и сам процессор. L2 cache.
Capacity
- емкость
  1. Электрическая емкость устройства DRAM (влияет на быстродействие и энергопотребление).
  2. Емкость модуля памяти в MB (в отличие от плотности чипа).
CAS
(Column Address Strobe) - строб адреса столбца - сигнал, используемый при работе с динамической памятью (DRAM), предназначен для запоминания в микросхеме DRAM адреса столбца.
CD-ROM Disk
- носитель информации для приводов CD-ROM. Может быть записан в ряде форматов (какие форматы поддерживает ваш CD-ROM, можно узнать с помощью программы ATAPICD):
CD-ROM Drive
(Compact Disk-Read Only Memory) - устройство для считывания компакт-дисков (CD disk). Диск диаметром 5 дюймов емкостью 660 Мбайт имеет всего одну спиральную дорожку. Время доступа относительно велико (у лучших моделей - 80 nc), чувствителен к вибрациям при работе. Интерфейсы: SCSI, IDE (E-IDE, IDE ATAPI); специальные на старых моделях - Sony. Panasonic, Mitsumi. Исполнение - внутреннее и внешнее (SCSI, LPT- порт). Могут отличаться как по поддержке различных форматов так и по следующим возможностям:
CD-RW
(CD ReWritable) - перезаписываемые диски - оптические диски, допускающие многократную запись информации. Как правило, возможно выполнить до 1000 циклов записи на один диск.
Checksum
- контрольная сумма, применяется при контроле четности. Бит, представляющий собой сумму значений всех бит, входящих в контрольную сумму (как правило это 8 бит) с отбрасыванием старших разрядов.
Chip
- чип, микросхема.
Chipset
- чипсет, набор микросхем материнской платы, реализующих архитектуру компьютера. Как правило, контроллер памяти входит в состав чипсета, поэтому зная, какой именно чипсет применен в компьютере, можно сделать выводы о применяемой памяти.
Clock
  1. = timer - таймер, системные часы.
  2. = clock cycle - такт, длительность одной операции синхронного (управляемого таймером) устройства.
  3. = clock frequency - тактовая частота, величина, обратная длительности такта, измеряется в мегагерцах.
  4. см. SDRAM clock
Clock Multiplying
- умножение частоты - принцип, применяемый в компьютерах начиная с 486-го поколения для согласования растущей тактовой частоты процессора и остальной системы. В результате системная шина (а вместе с ней и подсистема памяти) работают на частоте, в фиксированное число раз меньшее, чем частота процессора. В то время, как процессоры Intel давно превысили частоту 200MHz, частота шины до недавнего времени не превышала 66MHz. Надо отметить, что реальное быстродействие системы зависит от обеих частот.
CMOS
(Complementary Metal Oxide Semiconductor)
  1. Широко распространенная технология полупроводникового производства, применяемая, в частности, при производстве DRAM.
  2. Энергозависимая память, применяемая для хранения установок BIOS.
COASt
(Cache On A Stick) - "стандартные" модули расширения кэша, некоторое время (одновременно с появлением EDO) применялись довольно широко. Поскольку EDO первоначально рассматривалась в качестве дешевой альтернативы кэшу, введение данного стандарта легко устанавливаемого (и наоборот) кэша должно было предоставить максимальную возможность выбора конфигурации. В действительности под этим названием существует немалое количество типов и стандартов кэша, совместимых между собой зачастую лишь по разъемам. Устанавливаются вертикально и ничем, кроме трения, не фиксируются.
Composite
- композитный (модуль). Модуль памяти, собранный из чипов с меньшей глубиной адресного пространства, чем у самого модуля. Как правило, это происходит на ранней стадии производства модулей памяти большой емкости, когда соответствующие чипы редки и дороги. Дополнительная адресная линия модуля при этом эмулируется с помощью линии RAS чипа. Естественно, такой метод не способствуют ни быстродействию, ни совместимости, поэтому применять композитные модули следует с осторожностью. Композитный модуль, как правило, имеет дополнительную микросхему для конверсии адресного бита в RAS и необычно большое количество чипов. Само по себе большое количество чипов не является критерием композитности, но надо иметь в виду, что оно увеличивает электрическую емкость и энергопотребление, что также не улучшает работу модуля.
CPU Frequency
- частота процессора - рабочая частота процессора, называемая иногда также "внутренней" частотой. Равняется произведению частоты шины на фактор умножения частоты.
Cycle Organization
- организация цикла - последовательность "элементарных" операций между двумя актами чтения/записи (как-то: зарядка RAS, ввод адреса строки, зарядка CAS, ввод адреса столбца, открытие линии данных и т.д.), а также допустимые "сокращенные" варианты такой последовательности (например, CAS-before-RAS). Типы памяти, такие, как fast page или EDO, различаются как раз допустимой сокращенной организацией цикла, поэтому иногда говорят о "цикле, организованном по типу fast page" и т. п.
Cycle Time
- длительность цикла (имеется в виду цикл обращения к памяти). При использовании термина необходимо указание, о какой организации цикла идет речь. По умолчанию термин совпадает со временем доступа.
DDC
(Display Data Channel) - интерфейс обмена данными между компьютером и монитором. Существуют два варианта этого интерфейса:
DDR
(Double Data Rate) = SDRAM II
Density
- плотность - емкость чипа в мегабитах. Помимо единицы измерения, отличается от емкости модуля еще и тем, что имеет отдельное значение "уровня технологии", по которой изготовлен данный чип.
DIMM
(Dual Inline Memory Module) - 168-контактный 64-разрядный двухсторонний модуль памяти с напряжением питания 3,3 В. Конструктив модуля памяти, становящиеся с 1997 года фактическим стандартом для компьютеров. Собственно память, размещенная на модуле, может быть как FPM или EDO так и SDRAM. Память в DIMM имеет разрядность 64 (с четностью 72) бита и может использоваться поодиночке, а не парами, как обычные SIMM.
DIP
(Dual In-line Package) - микросхемы с двумя рядами контактов, расположенными вдоль длинных сторон чипа и загнутых "вниз". Чрезвычайно распространенная упаковка во времена "до" модулей памяти.
DMA
(Direct Memory Access) - прямой доступ к памяти - режим обмена данными между памятью и устройством ввода/вывода, управляемый специальным устройством (контроллером DMA) и выполняемый без участия центрального процессора. Использование этого режима значительно ускоряет пересылку данных, так как исключает пересылки данных в процессор и обратно.
Double-side
- двусторонний - термин, вообще говоря, не несущий особой смысловой нагрузки, т.к. в общем случае расположение чипов по одну или две стороны модуля памяти имеет отношение к дизайну или технологии производства, но не к архитектуре (хотя существует, конечно, ряд систем с таким расположением разъемов, которое позволяет устанавливать модули с чипами, расположенными только с одной стороны). Как правило, термин ошибочно применяется вместо двухбанковый (который и сам по себе окружен путаницей).
DPMS
(Display Power Management Signaling) - сигналы управления энергопотреблением монитора - стандарт, созданный ассоциацией VESA для многостадийного снижения энергопотребления монитора. Для реализации стандарта его должен поддерживать монитор. В стандарте оговорены четыре уровня:

УровеньОпределениеРезультат
0DPMS Mode OnМонитор используется как обычно
1DPMS Mode StandbyИзображения нет, потребление снижено
2DPMS Mode SuspendИзображения нет, потребление еще более снижено
3DPMS Mode OffИзображения нет, потребление снижено до минимума

DRAM
(Dynamic Random Access Memory) - динамическая оперативная память, единичная ячейка которой представляет собой конденсатор с диодной конструкцией. Наличие или отсутствие заряда конденсатора соответствует единице или нулю. Организована в виде прямоугольного массива ячеек. Основной вид, применяемый для оперативной памяти, видеопамяти, а также различных буферов и кэшей более медленных устройств. По сравнению со SRAM заметно более дешевая, хотя и более медленная по двум причинам - емкость заряжается не мгновенно, и, кроме того, имеет ток утечки, что делает необходимой периодическую подзарядку. Регенерация выполняется как "пустое" чтение памяти. Этот процесс отнимает значительное время, так как в этот период никакое устройство не может получить доступ к памяти, кроме контроллера регенерации.
DRAM module
- модуль памяти - устройство, представляющее собой печатную плату с контактами, на которой расположены чипы памяти (иногда заключенное в корпус), и представляющее собой единую логическую схему. Помимо чипов памяти может содержать и другие микросхемы, в том числе шунтирующие резисторы и конденсаторы, буферы, logic parity и т.п.
Dual-bank
- двухбанковый. Поскольку адресное пространство организовано в виде квадратной (как правило) матрицы, увеличение числа адресных линий на 1 (т.е. максимально возможного адреса - вдвое) приводит к 4-кратному увеличению адресного пространства (поэтому емкость 30-контактных SIMM росла с инкрементом 4). Для 72-контактных SIMM была введена возможность увеличения емкости модуля вдвое путем монтажа на одной плате двух комплектов чипов, причем обращение ко второму комплекту просиходит за счет дополнительных RAS. Это, в частности, 2, 8, 32 и 128MB SIMM, которые в отличие от 1, 4, 16 и 64MB называются двухбанковыми (иногда те же две группы модулей называют 2-х и 4-х банковыми соответственно, поскольку первая использует 2 RAS, а вторая - 4). Аналогично для 168-контактных DIMM, с той разницей, что для их производства часто используются чипы с "неквадратным" адресным пространством (организации типа 2х8), поэтому двухбанковые модули 64 и 256MB имеют также и однобанковый вариант. Некоторые контроллеры не могут работать с двухбанковыми модулями памяти (для 72-контактных SIMM это большая редкость, для 168-контактных DIMM - довольно часто).
***Иногда встречаются 8MB 72-контактные однобанковые SIMM (у этих модулей обращение ко "второму" банку происходит не через линию RAS, а через дополнительную адресную линию, т.е. с точки зрения контроллера это 16MB SIMM, у которого не работает "верхняя половина" всех страниц. Многие контроллеры отказываются работать с такими SIMM, особенно в комплекте с другими, "нормальными". В свое время произошел массовый выброс на рынок таких SIMM, что привело к распространению легенд о существовании "неправильных" одно- или двух-сторонних или -банковых SIMM безотносительно к их емкости. К сожалению, авторы многих мануалов к материнским платам разделяли это недоумение.
DVI
(Digital Video Interactive) - система аппаратного сжатия движущихся видеоизображений с коэффициентом сжатия до 160:1 и записи звукового сопровождения по методу сжатия ADPCM.
DVD
(Digital Versatile Disk) - цифровой универсальный диск -самый современный стандарт хранения информации на оптическом (лазерном) диске. Отличается от обычного CD-ROM увеличенной почти в 30 раз емкостью (до 17 GB). Возможны следующие варианты изготовления DVD дисков: Существует также ряд типов DVD дисков в зависимости от назначения:
ECC
(Error Checking and Correction) - алгоритм выявления и исправления ошибок в оперативной памяти. Алгоритм, пришедший на смену "контролю четности". Модули памяти с поддержкой ECC могут восстановить адрес однобитовой ошибки и исправить ее. Двухбитовые ошибки также выявляются, но не исправляются. Применяется в основном в серверах.
ECC SIMM
- термин не корректен, поскольку может обозначать разные объекты, которые имеют между собой общего только то, что являются SIMM и предназначены к использованию в контроллерах, которые позволяют с их помощью реализовать ECC. В частности, помимо указанных ниже, под это определение подпадают некоторые SIMM, не удовлетворяющие JEDEC, в частности ECC-on-SIMM, а также стандартные SIMM с четностью, которые могут быть использованы для поддержки ECC в большинстве устройств сравнительно недавнего производства. Непосредственно ECC SIMM - это:
  1. SIMM стандарта JEDEC x39 или x40 - 39- или 40-битные 72-контактные SIMM, применявшиеся в ранних реализациях ECC.
  2. SIMM x36 (то есть 36-битные, как и "обычные" SIMM с четностью). Главное отличие - SIMM с четностью логически имеет жесткое соответствие одного бита четности каждым 8 бит "основной" памяти, выраженное в том, что эти 9 бит имеют одну общую линию CAS. Физически как правило на каждые 2 чипа "основной" памяти приходится 1 бит четности - всего 8+4=12 чипов для, например, 16MB. ECC SIMM состоит из 36 равнозначных бит, все на одной линии CAS. Физически это 9 идентичных чипов для тех же 16MB. Надо отметить, что SIMM с четностью как правило работают (и обеспечивают ECC) в системах, предназначенных для данного класса ECC SIMM, в то время как последние неспособны работать в системах с "обычной" четностью.
ECP
(Enhanced Capability Port) - порт с расширенными возможностями - отличается от стандартного принтерного порта с интерфейсом Centronics, тем, что передаваемая информация разделяется на команды и данные с поддержкой режима DMA и кодирования по методу RLE (Run-Length Encoding - кодирование повторяющихся последовательностей данных).
EDO DRAM
(Extended Data Out DRAM) - разновидность FPM DRAM. Адрес следующей колонки может передаваться параллельно с чтением данных, что опять же увеличивает скорость последовательного доступа. Представляет собой дальнейшее развитие метода fast page по "конвейерной" схеме - линии ввода-вывода остаются какое-то время открытыми для чтения данных в процессе обращения к следующему адресу, что позволяет организовать цикл доступа более оптимально.
EPP
(Enhanced Parallel Port) - расширенный параллельный порт - двунаправленный вариант принтерного порта с максимальной скоростью приема/передачи данных до 2 MB/c. Стало возможным адресация нескольких устройств, ввод 8-ми разрядных данных. Для буферизации данных используется память с FIFO организацией объемом в 16 байт.
Ethernet
- архитектура сетей с разделяемой средой и широковещательной передачей (все узлы получают пакет одновременно), метод доступа - CSMA/CD. Стандарт определен документом IEEE 802.3. Физическая топология - шина для экранированного коаксиального кабеля (коаксиала), звезда - для витой пары, двухточечное соединение - для оптоволоконного кабеля (оптоволокна).
Fast Page
- дословно - быстрый страничный (режим). Очень старая схема оптимизации работы памяти, которая основана на предположении, что доступ, как правило, осуществляется по последовательным адресам. Позволяет наряду с обычным циклом (RAS, затем CAS), использовать сокращенный, при котором RAS фиксирован, и соответственно его зарядка не требует времени. На сегодняшний день fast page - наиболее медленная из реально применяемых организаций памяти, однако еще сравнительно недавно это был единственный выбор для систем с контролем четности.
FIFO
(First Input First Output) - первый вошел и первый вышел - способ организации памяти, при котором записанные данные сдвигаются вперед при поступлении новых данных. Как правило, память с такой организацией используется в качестве буферной при приеме/передаче данных.
Flash
- разновидность энергонезависимой памяти с низким (сопоставимым с DRAM) временем доступа по чтению и относительно высоким временем записи. Используется для компактных внешних запоминающих устройств, а также для хранения редко перезаписываемых программных компонент (например, BIOS или операционной системы некоторых узкофункциональных устройств). Существует, в частности, в виде форм-фактора SIMM.
FM Music Synthesizer
- синтезатор MIDI с частотной модуляцией (Frequency Modulated) имеет несколько каналов (голосов). Каждый канал содержит два и более синусоидальных генератора (оператора), управляющих параметрами (частота, амплитуда) друг друга. Качество звука при чистом синтезе среднее даже при 20-ти голосом синтезаторе, так как все звуки инструментов создаются искусственно. Для более качественного звучания используется синтезатор на Wave Table.
FPM DRAM
(Fast Page Mode DRAM) - оперативная память с меньшим временем доступа по сравнению с DRAM, за счет отсутствия необходимости передавать адрес ряда в каждом цикле доступа.
Generic
- термин, противоположный brand-name (в каждом из смыслов). В наиболее общем виде - нечто, лишенное признаков либо производства известным производителем, либо предназначения конкретно для системы известного же производителя. В последнем смысле близок понятию "стандартный".
Gigabit
- гигабит, Gb - 1024 мегабит, т.е. 1,073,741,824 бит.
Gigabyte
- гигабайт, GB - 1024 мегабайт, т.е. 1,073,741,824 байт.
Gold Lead
- золоченые контакты - разновидность покрытия контактов модуля. В SIMM в настоящее время применяется редко, для DIMM - практически обязательно.
Hyper Page Mode
- то же, что EDO.
Hub
- хаб является обязательным (кроме двухточечной сети) соединительным элементом сети на витой паре и средством расширения топологических, функциональных и скоростных возможностей для любых сред передачи. Простейшие хабы являются многопортовыми повторителями. Хабы могут иметь набор разъемов BNC, RJ-45, AUI, обеспечивая выбор кабеля для передачи от источника к приемнику. К порту хаба можно подключить как отдельный узел, так и другой хаб. Хабы с набором разнотипных портов позволяют объединять сегменты сетей с различными кабельными системами. Существуют более сложные и дорогие варианты Switched HUB, Stackable HUB.
IC
(Integral Circuit) - интегральная схема.
Interleave
- чередование - способ ускорения работы подсистемы памяти, основанный, как и многие другие, на предположении, что доступ происходит к последовательным адресам. Реализуется аппаратно на уровне контроллера и требует организации банка памяти таким образом, что суммарная ширина шины модулей превосходит ширину системной шины в k=2n раз (это число называется коэффициентом interleave и иногда записывается в виде k:1). Таким образом, каждый банк состоит из k "нормальных" банков. Контроллер распределяет "нормальное" адресное пространство подсистемы так, что каждый из k последовательных адресов физически находится в разном банке. Обращение к банкам организовано со сдвигом по фазе (напомним, что отдельный цикл обращения может требовать 5 тактов шины и более). В результате при последовательном обращении к данным за один обычный цикл обращения можно получить до k обращений в режиме interleave. Реальный выигрыш, разумеется, меньше, кроме того, interleave заметно увеличивает минимальный размер банка (как в числе модулей, так и в емкости). В SDRAM interleave реализован на уровне чипа.
I/O line
(Input/Output Line)- линия ввода-вывода - каждая из линий, в совокупности составляющих шину, и способных пропустить один бит "за раз".
JEDEC
(Joint Electronic Device Engineering Council) - организация, разрабатывающая стандарты на электронные устройства, в том числе на модули памяти.
Key
- ключ - вырез в модуле памяти, который вместе с выступом в разъеме предотвращает неправильную установку модуля. 30- и 72-контактные SIMM имели вырез в углу со стороны 1-го контакта, последний, кроме этого - вырез посередине (интересно, что японские компьютеры имели более высокий выступ посредине разъема SIMM, соответственно, "чужие" SIMM туда не устанавливались, а в обратную сторону совместимость была). У 72-контактных SO DIMM высота выреза была использована для контроля рабочего напряжения (опять же, невозможно было установить модули с рабочим напряжением 5 вольт в разъемы с напряжением 3.3 вольт, но не наоборот). Для 168-контактных DIMM было применено другое решение - ключи (и соответствующие выступы) стали смещать вдоль, что сделало невозможным установку "неправильного" модуля памяти, хотя и заметно осложнило производство. Такие DIMM имеют 2 ключа, задающие напряжение питания и буферизованность.
Kilobit
- килобит, kb - 1024 бит. Надо отметить, что при подсчете объемов информации для введения высших разрядов вместо привычной тысячи используется 1024=210, что иногда порождает путаницу.
Kilobyte
- килобайт, kB - 1024 байт.
L2 cache
(Level 2 cache) - кэш 2-го уровня - кэш между процессором и подсистемой памяти. Работает, как правило, на частоте шины и смонтирован на материнской плате (хотя в старших процессорах Intel его начали устанавливать в одной микросборке или модуле с процессором, а также увеличили частоту). Для кэша 2-го уровня практически всегда используется SRAM. Характерные емкости - от 256kB до 1MB на процессор. Объем и быстродействие кэша 2-го уровня оказывают значительное воздействие на быстродействие системы в целом. Следует иметь в виду, что иногда установка в систему дополнительной памяти (как правило, свыше 64MB) может заметно замедлить ее работу, если контроллер не поддерживает кэширование этой памяти.
Lead Finish
- покрытие контактов - термин, относящийся к модулям памяти. Контакты бывают "золоченые" (gold-lead) и "луженые" (tin-lead), причем на цене модуля материал покрытия никак не отражается. Производители компьютеров, как правило, рекомендуют уделять особое внимание соответствию материалов контактов модулей и разъемов, хотя, по мнению некоторых независимых источников, опасения по поводу гальванической коррозии, которую могут вызвать разные покрытия контактов, сильно преувеличены.
Logic Parity
(bridge parity, fake parity, parity emulation etc) - ложная четность - техническое решение, позволяющее сэкономить на чипах четности, стоимость которых составляет заметную часть стоимости модуля памяти. Вместо чипов четности на модуль устанавливается логическая микросхема, которая при чтении данных вычисляет контрольную сумму и предъявляет ее контроллеру, как если бы она хранилась в модуле. Поскольку никакого контроля четности реально места не имеет, рекомендовать такие модули можно в единственном случае - если вы имеете материнскую плату, в которой невозможно отключить контроль четности, но не хотите за четность платить (скорее всего - это 486-я плата выпуска 1994 года и раньше). Следует также опасаться случаев, когда память с логической четностью выдается за память с четностью истинной - в частности, память вообще может не заработать в вашем компьютере (например, потому что он использует ECC, и вообще любые логические схемы понижают совместимость модуля), да и бескорыстным этот обман вряд ли будет, наконец, в самом лучшем случае вы будете пребывать в ложной уверенности, что ваша система выполняет контроль четности, когда это не так. Ложную четность иногда можно отличить, учитывая, что "логический" чип часто выпускается в упаковке TQFP. Косвенным признаком для 72-контактных SIMM также является наличие лишь одного чипа четности (двух для двухбанковых SIMM), хотя это может быть и Quad-CAS. Надо остерегаться и чипов с необычной (для микросхем памяти) маркировкой, хотя в наиболее неприятных случаях маркировка может быть подделана.
Long DIMM
- длинный DIMM - термин, как правило обозначающий 168-контактный DIMM, в более общем случае - противоположный SO DIMM.
Low Grade
- низкосортный - термин применяется к чипам, не выдержавшим тестов на соответствие стандартам. В отличие от audio RAM, как правило, они не имеют "объемных" дефектов, но демонстрируют ухудшение характеристик (например, времени доступа) при допустимых стандартами отклонениях внешних параметров (температуры, напряжения питания). Как правило, "низкосортные" чипы продаются производителями со специальной маркировкой или в виде кремниевых пластин и предназначены изначально для некомпьютерного применения. Тем не менее, к сожалению, на рынок часто попадают модули памяти, изготовленные из таких чипов, что приводит к нестабильной работе компьютеров, в которые они установлены.
Low Profile
- низкий (модуль) - модули памяти относительно низкой (по сравнению с допускаемой стандартами) высоты. В некоторые материнские платы (особенно если разъемы расширения памяти находятся на дополнительных картах) могут быть установлены только такие модули.
Main Memory
= system memory
Major
- принятое в индустрии название 10-20 крупнейших производителей чипов DRAM, а также выпущенных ими чипов. Модули, произведенные этими производителями из собственных чипов и имеющие их маркировку, носят название major/major и считаются эталонными по качеству.
MDRAM
(Multibank DRAM) - многобанковая DRAM - разновидность DRAM с interleave, организованным на уровне чипа, применяется преимущественно в графических подсистемах.
Megabit
- мегабит, Mb - 1024 килобит, т.е. 1,048,576 бит.
Megabyte
- мегабайт, MB - 1024 килобайт, т.е. 1,048,576 байт.
Megahertz
- мегагерц, MHz - 106 герц, т.е. операций в секунду. Единица измерения частоты, характерная для современных компьютеров, таймеры различных подсистем которых имеют частоты от нескольких мегагерц (шина ISA) до нескольких сотен мегагерц (процессоры). Системные шины имеют частоту от нескольких десятков до 100 мегагерц, до недавнего времени максимальная официальная частота для чипсетов Intel составляла 66 мегагерц.
Memory
- память
  1. = запоминающее устройство (ЗУ) - вообще говоря, любое устройство, предназначенное для записи (по крайней мере один раз), хранения и считывания информации. В этом смысле термин в основном употребляли в эпоху нестандартных решений. Сейчас его можно встретить в сочетании ROM, а также flash memory.
  2. = RAM
  3. = system memory
Memory Card
  1. Часто применяемое (особенно в портативных компьютерах) решение для нестандартного модуля памяти. Внешне очень напоминает карту PCMCIA, однако предназначена к установке в специальный разъем. Насколько можно судить, единый стандарт отсутствует, соответственно, совместимость наблюдается максимум в близких семействах моделей одного производителя.
  2. Иногда так называются применяемые в некоторых компьютерах (особенно серверного класса и поддерживающих interleave) "карты расширения памяти", устанавливаемые в материнскую плату и несущие на себе разъемы для модулей.

Memory Controller
- контроллер памяти - промежуточное устройство между системной шиной и модулями памяти. Контроллер определяет возможные тип и рабочий режим используемой памяти (в стандартных решениях зачастую и форм-фактор), организует interleave, контроль четности или ECC и т.п. Иногда имеется возможность настройки ряда параметров из BIOS Setup, в других случаях определение типа памяти и режима работы происходит автоматически. В настоящее время, как правило, контроллер памяти является частью чипсета, поэтому пара чипсет-BIOS нередко однозначно определяет возможности контроллера (хотя иногда, особенно в материнских платах высшего уровня, применяется специфический контроллер).
Memory Subsystem
- подсистема памяти - понимаемая как единое целое (обычно с целью обсуждения, например, вопросов быстродействия) совокупность системной шины, контроллера памяти и модулей. В зависимости от постановки вопроса может включать либо не включать кэш 2-го уровня.
Nanosecond
- наносекунда, ns - 10-9 сек. Характерное время цикла или такта для современных компьютеров - от единиц до сотен наносекунд, что соответствует частотам от сотен до единиц мегагерц. Используется для измерения времени доступа.
No-name
- безымянный - чипы либо модули памяти, не имеющих маркировки (известного) производителя. Очень широко (особенно модули) представлены на рынке. Явным недостатком "безымянной" памяти является то, что никто, вообще говоря, не гарантирует ее качества (производителям качественной памяти нет ни малейшего резона скрывать свое имя).
Non-volatile
- энергонезависимая (память) - устройство памяти, сохраняющее информацию при выключенном питании, например, flash и различные виды EPROM.
Operation Mode
- рабочий режим - организация цикла, при которой данная память работает (или способна работать), т.е. например fast page или EDO.
Organization
- организация - информация об устройстве чипа/модуля памяти, записываемая в виде произведения глубины адресного пространства на количество линий ввода/вывода. Кстати, для чипа это произведение дает его плотность, для модуля (если отбросить линии контроля четности и разделить результат на 8) - емкость. Организация не является исчерпывающим описанием логической схемы (см. для чипов например Quad-CAS или refresh).
Package
- упаковка - тип корпуса и расположения контактов чипа (например, SOJ, TSOP и т.п.).
Page
- страница. Довольно условный термин, чаще всего под страницей понимается набор доступных адресов при фиксированном адресе строки, иными словами, размер страницы равен числу столбцов. Надо учитывать, что строка, как правило, длинее из соображений refresh.
Parity
- четность, также контроль четности. Довольно старый принцип проверки целостности данных, передаваемых по любой шине (в том числе сохраняемых в памяти). Суть метода в том, что для некоторого количества (как правило, 8) бит данных на стадии записи вычисляется контрольная сумма, которая сохраняется как специальный бит четности. При чтении данных контрольная сумма вычисляется снова и сравнивается с битом четности. Если они совпали, данные считаются аутентичными, в противном случае генерируется сообщение об ошибке четности (как правило, приводящее к остановке системы). Метод активно применялся в прошлом, когда подсистема памяти являлась одной из самых ненадежных в компьютере. К явным недостаткам метода относятся дороговизна памяти, требующейся для хранения лишних бит четности, незащищенность от двойных ошибок (а также ложное срабатывание при ошибке в бите четности), остановка системы даже при непринципиальной ошибке (скажем, в видеокадре). В настоящее время, учитывая возросшее качество памяти и низкую вероятность ошибок, применяется все реже - в системах низкого уровня используется более дешевая память без контроля четности, в системах высокого - более результативная схема ECC.
Parity Bit
- бит четности - дополнительный бит для контрольной суммы, а также линия ввода/вывода для его передачи.
Parity Chip
- чип четности - чип, предназначенный для хранения бита четности в соответствующем SIMM, как правило однобитный (организации х1), хотя встречаются чипы типа Quad-CAS, объединяющие несколько независимых однобитных чипов в одной упаковке.
Parity SIMM
- SIMM с четностью. Для 30-контактного SIMM - с организацией x9, т.е. 8 основных бит плюс бит четности. Для 72-контактного SIMM, как правило, имеется в виду SIMM организации x36, причем на каждом из 4-х CAS находится 8 основных бит плюс бит четности. Такая организация отличает его от ECC SIMM x36. Никакого принципиального значения это разделение на группы по 9 бит не имеет, поскольку в подавляющем большинстве случаев доступ по отдельному CAS невозможен. Скорее всего, этот принцип идет от тех времен, когда 72-контактные SIMM только приходили на смену 30-контактным, чтобы сымитировать 4 30-контактных модуля и облегчить переход без значительной переработки контроллера. В принципе, под определение подпадают и довольно редкие модули x18 и x33.
PC100
самая полная на сегодняшний день спецификация на модули памяти, разработанная фирмой Intel, по мнению которой модули, не соответствующие данной спецификации, не могут корректно работать на частоте шины 100 МГц. Модули, соответствующие спецификации, в обязательном порядке должны иметь:
PCB
(Printed Circuit Board) - печатная плата. Качество дизайна и изготовления печатной платы может сильно повлиять на качество модуля памяти. В частности, считается, что предназначенная для модулей памяти печатная плата должна состоять как минимум из 4 слоев (для предотвращения "наводок").
PC Card
- более современное, хотя так окончательно и не прижившееся, название для стандарта PCMCIA. Не путать с memory card.
PCMCIA
(Personal Computer Memory Card International Association) - в противовес своему названию имеет мало отношения к памяти как таковой. Стандарт шины и разъема расширения для подключения внешних устройств (в том числе хранения информации, но отнюдь не оперативной памяти) к портативным компьютерам. Не путать с memory card.
Pin
- контакт, для пайки или установки в разъем, не обязательно в виде проволочки.
Pinout
- разводка - соответствие между контактами чипа или модуля и его логической схемой. Внешне совершенно стандартный модуль может по той или иной причине иметь необычную разводку (и, следовательно, архитектуру).
PIO Mode 4
протокол передачи данных для устройств IDE с максимальной пропускной способностью до 14 Мбайт/с.
Pipeline
- конвейер - метод доступа к данным, при котором можно продолжать чтение по предыдущему адресу в процессе запроса по следующему.
POST
(Power-On Self Test) - процесс определения системой своей конфигурации при загрузке (тестом фактически не является). В принципе, память с серьезными дефектами не будет распознана как таковая уже на этой стадии. Следует иметь в виду, что на результат POST могут повлиять установки BIOS Setup.
PRD
(Presence Detect) - информация о типе, емкости и времени доступа модуля памяти, закодированная с помощью заземления или незаземления специально предназначенных для этой цели контактов. В частности, контакты с 67-го по 70-й 72-контактного SIMM, будучи электрически соединены (или наоборот) с 72-м контактом, обеспечивают 4 бит информации, в которых может быть записана емкость и время доступа SIMM. Контактные площадки под нулевые резисторы для заземления можно видеть с правой стороны SIMM, если смотреть на него, расположенного горизонтально с ключом в левом нижнем углу. PRD описано в JEDEC. Тем не менее подавляющее большинство контроллеров памяти PRD не использует, соответственно, в SIMM, произведенных "безымянными" изготовителями, PRD зачастую отсутствует, что может повлечь несовместимость с системами, которым PRD требуется. Старые модели IBM (эпохи PS/2) также использовали PRD, причем нестандартное. JEDEC описывает также PRD для DIMM. В последнее время (в частности, для SDRAM DIMM) применяется SPD.
Profile
- форм-фактор - в наиболее общем виде - тип разъема и геометрические размеры (включая размеры ключей, выступающих частей и т.д.) модуля памяти. Некоторые системы по причинам, происходящим из геометрии, работают с модулями стандартной архитектуры, но с некоторыми ограничениями форм-фактора (см. low profile).
Proprietary
- термин, обратный понятию "стандартный", т.е. предназначенный для конкретной системы и только для нее.
Quad-CAS
- микросхема четности, предназначенная для 72-контактных SIMM и как бы объединяющая в себе 4 независимых однобитных чипа четности, доступ к каждому из которых идет по отдельной линии CAS. Как правило, речь идет о чипе организации 1х4 (сумма четырех 1х1). Выпускались, в частности, Micron. SIMM с таким чипом являются "истинными" SIMM с четностью, и их следует отличать от SIMM с "ложной четностью", имеющих то же количество чипов. В принципе, существовали и чипы Double-CAS (в частности, OKI), представлявшие собой сумму 2-х чипов.
Rambus DRAM
- технология DRAM, разработанная компанией Rambus и позволяющая создавать память с высокой пропускной способностью (несколько сотен Mb/сек).
RAM
(Random Access Memory) - память со случайным доступом
  1. Любое устройство памяти, для которого время доступа по случайному адресу равняется времени доступа по последовательным адресам. В этом смысле термин практически утратил свое значение, так как современные технологии RAM используют методы оптимизации последовательного доступа, но в прошлом это действительно было критерием для отличения устройств, предназначенных для оперативного хранения небольших объемов данных (в русской традиции - оперативное запоминающее устройство, ОЗУ) от устройств для постоянного хранения больших массивов (постоянное или программное ЗУ, ПЗУ). Сейчас очевидно, что реальным критерием является энергозависимость.
  2. = volatile RAM = ОЗУ (см. выше) - устройство памяти, предназначенное для оперативного хранения данных, необходимых для работы компьютера. Фактически разделяется на SRAM и DRAM.
  3. = system memory
RAS
(Row Access Strobe) - регистр обращения к строке. Сигнал, поданный на линию RAS чипа, означает, что через адресные линии вводится адрес строки.
RDRAM
= Rambus DRAM
RJ-45
разьем для соединения витой парой (twisted pair). Рассчитан на 4 витые пары (8 проводов). Распайку смотри здесь.
ROM
(Read-Only Memory) - память без перезаписи - вообще говоря, любое запоминающее устройство, перезапись информации на котором невозможна в принципе. В настоящее время термин самостоятельной ценности не имеет, применяясь иногда в аббревиатурах (CD-ROM), в том числе и для описания устройств, допускающих перезапись, хотя в основном предназначенных для чтения (EEPROM).
Refresh
- подзарядка. Как известно, состоянием ячейки памяти DRAM является наличие/отсутствие заряда на конденсаторе. Этот заряд подвержен утечке, поэтому для сохранения данных конденсатор необходимо время от времени подзаряжать. Это достигается подачей на него время от времени напряжения (несложная диодная конструкция обеспечивает refresh только тех конденсаторов, на которых уже есть заряд). Нормальный цикл подзарядки происходит при фиксации адреса столбца и циклическом изменении адреса строки. Поэтому вообще говоря чип с меньшим количеством строк подзаряжается быстрее.
Часто встречаются упоминания о чипах, скажем 2k refresh, 4k refresh и т.п. Число nk здесь означает "длину строки", т.е. количество столбцов. История здесь следующая. Нормальное количество столбцов (как и строк) для чипа организации 4х4 (16-мегабитный чип с адресным пространством 4Mb, именно такие чипы используются для SIMM 16 и 32MB) равняется 2k (квадратный корень из 4M как размера квадратной матрицы). Однако с целью повышения быстродействия путем уменьшения времени refresh были разработаны чипы с "неквадратной" адресной матрицей, имевшие 1к строк и соответственно 4к столбцов (4к refresh, см. выше). К сожалению, стандартные контроллеры памяти PC того времени (к Mac, например, это не относилось) оказались не способны работать с такими чипами, кроме того, на их основе практически невозможно было создать память с четностью (из-за "квадратности" чипов четности). В результате словосочетание 4k refresh приобрело в массовом сознании абсолютно ругательный смысл (в частности, насколько мне известно, большинство Pentium-контроллеров прекрасно способны были работать с чипами 4k, но рынок отказывался их потреблять). Появление DIMM, которые использовали четность не "в манере" SIMM с четностью, а просто как дополнительные 8 бит, сняло ограничения, и сечас чипы 16Mb 4x4 4k refresh активно применяются.
Registered
- аналог понятию buffered для SDRAM DIMM, пока еще не нашло широкого употребления.
Remark
- перемаркировка
  1. Вообще говоря, любое изменение уже нанесенной на чип маркировки. Как правило, выполняется изготовителем в том случае, когда уже промаркированная партия чипов показала несоответствующие маркировке (возможно, и более высокие) результаты на тестах. Может выполняться в виде изменения уже указанного на чипе времени доступа (как правило, следы этого изменения хорошо видны, поскольку никто не пытается их скрыть). Такого рода партии перемаркированных чипов обычно выпускаются на рынок с сответствующими сертификатами и ничего дурного собой не представляют. Другой вариант - когда партия чипов не выдержала теста на соответствие стандартам высшего качества, однако пригодня для использования как low grade или audio RAM. В этом случае верхний слой пластика с первоначальной маркировкой снимается и наносится low grade маркировка. Такие чипы также являются полноценными (если это слово применимо к low grade).
  2. К несчастью, имелись случаи (в последнее время, к счастью, реже) "злоумышленной" перемаркировки чипов, когда не соответствующая неким стандартам память выдавалась за стандартную с целью извлечения прибыли (как правило, делали это не производители). Характерным признаком такой подделки являются следы снятия верхней поверхности чипа (которые редко удается скрыть) под маркировкой известного производителя. Рекомендуется не применять модулей, собранных из таких чипов, ни в коем случае.
SDRAM
синхронная оперативная память. Синхронизирована по тактам с CPU и значительно быстрее обычной DRAM. Время доступа к странице у современных модулей SDRAM может составлять от 6 до 12 наносекунд. (Однако SDRAM - 6-12 нс нельзя сравнивать с 60, 70 или 80 нс для станлартной памяти DRAM, т.к. в случае SDRAM это не полное время выборки, а время одного такта)
SDRAM clock
- можно встретить указание, что те или иные чипы или модули SDRAM являются 2 clock или 4 clock. Под clock здесь понимается линия ввода сигнала таймера. Насколько можно судить, 4 clock чипы поддерживают внутричиповый interleave более высокого уровня (4-банковый?), т.е. являются вообще говоря более передовыми. Достоверной информации о совместимости этих двух типов SDRAM с разными чипсетами и реальных выигрышах в скорости пока нет.
SDRAM II
- находящийся в стадии разработки SDRAM следующего поколения, который должен будет поддерживать вдвое большую (200Mb/сек) пропускную способность.
SGRAM
(Synchronous Graphic RAM) - разновидность синхронной видеопамяти.
SIMM
(Single In-line Memory Module) - наиболее распространенный в течение долгого времени форм-фактор для модулей памяти. Представляет собой прямоугольную плату с контактной полосой вдоль одной из сторон, фиксируется в разъеме поворотом с помощью защелок. Контакты с двух сторон платы на деле являются одним и тем же контактом (single). Наиболее распространены 30- и 72-контактные SIMM (ширина шины 8 и 32 бит соответственно).
Single-Bank
- однобанковый - см. dual-bank.
Single-Side
- односторонний - см. double-side.
SIP
(Single In-Line Package) - разновидность форм-фактора модулей памяти, вытеснены SIMM и в настоящее время почти не встречаются. Проще всего описать их как SIMM, у которого контакты не "наклеены" на плату, а имеют форму иголок (pin в первоначальном значении этого слова) и торчат в виде гребенки.
SLDRAM
(SyncLink DRAM) - условное название высокоскоростной памяти, разрабатываемой консорциумом производителей в качестве открытого стандарта в противовес Rambus DRAM.
Slot
- разъем. Как правило, это название используется для разъемов, куда "вставляются" платы расширения, в том числе модули типа SIMM и DIMM. Разъемы, куда "втыкаются" ножки (чипов либо разъемов "противоположного пола"), называются socket.
SMT
(Surface Mount Technology) - технология поверхностного монтажа, основной способ изготовления модулей памяти и многих других устройств на основе печатных плат. Смысл метода в том, что вместо пайки каждого контакта по отдельности все чипы "приклеиваются" на печатную плату, заранее покрытую припоем по трафарету, после чего плата прогревается в специальной печи, в результате чего припой плавится и чипы оказываются припаянными.
SPD
(Single Presence Detect) - модуль последовательной памяти EPROM, содержащий данные о чипе и производителе, а также временные параметры, которые передаются системе при инициализации. Intel убеждена, что отсутствие SPD может привести к сбоям при работе с памятью.
SO DIMM
(Small Outline DIMM) - разновидность DIMM малого размера (small outline), предназначенных в первую очередь для портативных компьютеров. Наиболее часто встречаются 72- и 144-контактные модули (32 и 64 бит соответственно). Способ установки аналогичен SIMM.
SOJ
(Small Outline J-shaped) - разновидность микросхем, одна из наиболее широко применяемых для упаковки DRAM. Контакты микросхемы изогнуты в форме буквы J коротким концом под микросхему.
Specific
- специфический - в общем виде - модуль памяти, предназначенный для использования в конкретной системе (или классе систем) конкретного производителя. Термин несколько более мягкий, чем proprietary, так как не отрицает возможности того, что указанная система может расширяться и стандартными модулями.
Speed
- скорость или быстродействие - некорректный термин, может обозначать либо тактовую частоту, либо время доступа.
SRAM
(Static RAM) - статическая память - разновидность RAM, единицей хранения информации в которой является состояние "открыто-закрыто" в транзисторной сборке. Используется приемущественно в качестве кэш-памяти 2-го уровня. Ячейка SRAM более сложна по сравнению с ячейкой DRAM, поэтому более высокое быстродействие SRAM компенсируется высокой ценой. Несмотря на низкое энергопотребление, является энергозависимой.
Stackable Hub
- наращиваемый хаб - имеет специальные средства соединения нескольких хабов в стек, выступающий в роли единого целого. При этом обычно интеллектуальность одного хаба делает интеллектуальным весь стек. Расстояние между хабами в стеке может быть коротким (локальный стек) и длинным, до сотен метров (распределенный стек, более гибкий элемент для оптимизации кабельной системы).
Standard
- стандартный - то есть соответствующий неким общеизвестным техническим спецификациям (для модулей памяти, как правило, JEDEC), и, следовательно, имеющий широкую область применения, не ограниченную конкретной системой.
Static Column
- статический столбец. Память со статическим столбцом - выпускавшаяся некоторое время, но не получившая распространения из-за высокой цены более быстрая разновидность fast page.
Switched Hub
- коммутирующий хаб - дальнейшее развитие технологии Ethernet, повышающее производительность работы сети. В этом случае управление доступом к среде практически переносится с узлов в центральное коммутирующее устройство, обеспечивающее установление виртуальных выделенных каналов между парами портов - источниками и получателями пакетов. От узлов-передатчиков коммутирующий хаб почти всегда готов принять пакет либо в свой буфер, либо практически без задержки передать его в порт назначения (коммутация с таким хабом двух компьютеров, обменивающиеся "на лету" - On-the-fly Switching). Используя обмен данными между собой через коммутирующий хаб, компьютеры не будут загружать общий траффик. Такие хабы также применяются для соединения между собой сетей Ethernet и Fast Ethernet.
Synchronous
- синхронный - устройство памяти, цикл обращения к которому состоит из операций, имеющих одинаковую длительность, что позволяет синхронизировать его с системным таймером для оптимального взаимодействия между устройством и шиной. Синхронные устройства являются более передовыми по отношению к асинхронным, и в настоящее время идет процесс полного перехода к ним.
System Memory
- оперативная память - память (в подавляющем большинстве случаев - DRAM), использующаяся для хранения активных программ и данных. Количество и быстродействие оперативной памяти оказывают чрезвычайно серьезное воздействие на быстродействие современных компьютеров. Работает на частоте системной шины. Доступ процессора к оперативной памяти происходит через кэш 2-го уровня. Некоторые подсистемы компьютера способны обращаться к оперативной памяти напрямую, минуя процессор.
Timing Diagram
- временная диаграмма - количества тактов системной шины, необходимых для доступа к случайно выбранному адресу и следующим за ним адресам. Характерные диаграммы для разных типов памяти (в предположении, что они достаточно быстры, чтобы оптимально взаимодействовать с шиной) - 5-3-3-3 (fast page), 5-2-2-2 (EDO), 5-1-1-1 (SDRAM).
Tin-lead
- луженые контакты - разновидность покрытия контактов модуля, по непроверенным данным, с добавлением палладия. Большинство выпускаемых сейчас SIMM и разъемов для них имеют именно это покрытие.
TQFP
(Thin Quad Flat Package) - разновидность микросхем плоской квадратной формы с контактами вдоль всех четырех сторон. Применяется в основном для многоконтактных чипов, в частности кэша.
TSOP
(Thin Small Outline Package) - разновидность микросхем плоской формы. В настоящее время в области DRAM применяется довольно широко, особенно для упаковки низковольтных микросхем.
Ultra DMA/33
синхронный протокол передачи данных для устройств IDE с максимальной пропускной способностью до 33 Мбайт/с. На сегодняшний день все жесткие диски поддерживают этот протокол
Ultra DMA/66
дальнейшее развитие идеи Ultra ATA/33. Максимальная пропускная способность - 66 Мбайт/с, соответственно. Этот протокол совместим вниз, единственным отличием является необходимость применения 80-жильного кабеля вместо стандартного 40-жильного для использования функции ATA/66.
Ultra DMA/100
тот же ATA/66, но уже 100 Мбайт/с.
Unbuffered
- небуферизованный (модуль). Термин применяется к "обычным" 168-контактным DIMM, чтобы отличить их от буферизованных.
Unified Memory
- объединенная память - технология, при которой видеоадаптеру выделяется часть системной памяти, так что нет необходимости устанавливать для него отдельную видеопамять. При всей своей экономичности и возможности программно менять количество видеопамяти технология является компромиссной, так как видеопамять должна, вообще говоря, быть более быстрой, чем "стандартная".
USB
(Universal Serial Bus) - универсальная последовательная шина. Предназначена для подключения переферийных устройств. Стандарт на нее разработали семь компаний: Compaq, Digital Equipment, IBM, Intel, Microsoft, NEC и Northern Telecom. USB представляет из себя две скрученные пары: по одной паре происходит передача данных в каждом направлении (дифференциальное включение), а другая представляет линию питания (+5 В). Благодаря встроенным линиям питания, обеспечивающим ток до 500 мА, USB часто позволяет применять устройства без собственного блока питания. К одному компьютеру можно подсоединить до 127 устройств через цепочку концентраторов (они используют топологию звезда). Передача данных по шине может осуществляться как в асинхронном, так и в синхронном режиме. В USB обмен информации с быстрыми устройствами идет на скорости 12 Мбит/с (480 Мбит/с - спецификация USB 2.0), а с медленными 1,5 Мбит/с. Все подключенные к USB устройства конфигурируются автоматически (PnP) и допускают "горячее" Hot Swap включение/выключение. За более полной информацией посетите сайт www.usb.org.
Volatile
- энергозависимая (память) - устройство памяти, теряющее информацию при отключении напряжения питания. К ним относятся, в частности, DRAM и SRAM.
Voltage
- напряжение питания. Современные чипы памяти имеют напряжение питания 3.3 или 5 вольт (последние пока еще более распространены). Как правило, напряжение питания модулей памяти предопределено конструкцией материнской платы и не может быть изменено для одного типа модулей. Плата, поддерживающая разные типы модулей (например, SIMM и DIMM), может поддерживать разное напряжение питания для каждого типа, но при этом необязательно оба сразу. Надо также отметить, что модули памяти являются одним из наиболее энергопотребляющих устройств компьютера, поэтому снижение их напряжение питания представляется естественным путем к системам с большим объемом памяти.
Video RAM
- видеопамять
  1. вообще говоря, любая память, используемая в графической подсистеме (как правило, в качестве буфера кадров).
  2. разновидность памяти, специально созданная для применения в графических подсистемах, например, VRAM, WRAM, SGRAM и т.п. Чаще всего оптимизирована по отношению к "обычной" памяти с использованием того факта, что буфер кадров по умолчанию не требует хранения уже однажды использованной информации, т.е. одновременно с чтением можно (и нужно) производить запись.
  3. =VRAM
VRAM
(Video RAM) - одна из первых разновидностей видеопамяти, позволяет производить чтение и запись информации за один цикл обращения.
WRAM
(Window RAM)- разновидность видеопамяти, примененная, в частности, в видеокартах Matrox.
ZIP
(Zig-Zag In-Line Package) - разновидность упаковки микросхем, в частности, применявшаяся для видеопамяти. Контакты расположены вдоль одной из длинных сторон чипа в зигзагообразном порядке.

Вверх