ОБОЗНАЧЕНИЕ  ПАРАМЕТРОВ  БИПОЛЯРНЫХ  ТРАНЗИСТОРОВ  (ГОСТ  20003-74)

Буквенное обозначениеТерминОпределение
отечественноемеждународное
IКБОICBOобратный ток коллектораток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера
IЭБОIEBOобратный ток эмиттераток через эмиттерный переход при заданном обратном напряжении эмиттер-база и разомкнутом выводе коллектора
IКЭОICEOобратный ток коллектора при замкнутом выводе базыток в цепи коллектор-эмиттер при заданном обратном напряжении коллектор-эмиттер и разомкнутом выводе базы
IКЭКICESобратный ток коллектора при короткозамкнутых выводах эмиттера и базыток в цепи коллектор-эмиттер при заданном обратном напряжении коллектор-эмиттер и короткозамкнутых выводах эмиттера и базы
UКЭО грU(L) CEOграничное напряжение биполярного транзисторанапряжение между выводами коллектора и эмиттера при токе базы, равном нулю и заданном токе эмиттера
UКЭ насUCE satнапряжение насыщения коллектор-эмиттернапряжение между выводами коллектора и эмиттера в режиме насыщения при заданных токах базы и коллектора
UБЭ насUBE satнапряжение насыщения база-эмиттернапряжение между выводами базы и эмиттера в режиме насыщени япри заданных токах базы и коллектора
h11э-входное сопротивление в режиме малого сигнала в схеме с общим эмиттеромотношение изменения напряжения на входе к вызвавшему его изменению входного тока в режиме короткого замыкания по переменному току на выходе транзистора в схеме с общим эмиттером
h11б-входное сопротивление в режиме малого сигнала в схеме с общей базойотношение изменения напряжения на входе к вызвавшему его изменению входного тока в режиме короткого замыкания по переменному току на выходе транзистора в схеме с общей базой
h21э-коэффициент передачи тока биполярного транзистора в режиме с общим эмиттеромотношение изменения выходного тока к вызвавшему его изменению входного тока в режиме короткого замыкания по переменному току на выходе транзистора в схеме с общим эмиттером
h22э-выходная полная проводимость биполярного транзистора в режиме малого сигнала при холостом ходе с общим эмиттеромотношение изменения выходного тока к вызвавшему его изменению выходного напряжения в режиме холостого хода входной цепи по переменному току в схеме с общим эмиттером
h22б-выходная полная проводимость биполярного транзистора в режиме малого сигнала при холостом ходе с общей базойотношение изменения выходного тока к вызвавшему его изменению выходного напряжения в режиме холостого хода входной цепи по переменному току в схеме с общей базой
h21Эh21Eстатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттеромотношения постоянного тока к постоянному току базы при заданных постоянном обратном напряжении коллектор-эмиттер и токе эмиттера в схеме с общим эмиттером
fh21-предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзисторачастота, на которой модуль коэффициента передачи тока падает на 3 дБ по сравнению с его низкочастотным значением
fгрfTграничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттеромчастота, при которой модуль коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером экстраполируется к единице *
fmaxfmaxмаксимальная частота генерации биполярного транзисторанаибольшая частота, при которой транзистор способен генерировать в схеме автогенератора
KшFкоэффициент шума биполярного транзистораотношение мощности шумов на выходе транзистора к той ее части, которая вызвана тепловыми шумами сопротивления источника сигнала
tрасtsвремя рассасывания для биполярного транзистораинтервал времени между моментом подачи на базу запирающего импульса и моментом, когда напряжение на коллекторе транзистора достигает заданного уровня
tвклtonвремя включения транзистораинтервал времени, являющийся суммой времени нарастания
Ceемкость эмиттерного переходаемкость между выводами эмиттера и базы транзистора при заданных обратном напряжении эмиттер-база и режиме коллекторной цепи
Ccемкость коллекторного переходаемкость между выводами базы и коллектора транзистора при заданных обратном напряжении коллектор-база и режиме эмиттерной цепи
tкtcпостоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте биполярного транзисторапроизведение сопротивления базы на активную емкость коллекторного перехода
термины, относящиеся к режимам эксплуатации (измерений)
IКIGпостоянный ток коллекторапостоянный ток, протекающий через коллекторный переход
IЭIEпостоянный ток эмиттерапостоянный ток, протекающий через эмиттерный переход
IБIBпостоянный ток базыпостоянный ток, протекающий через базовый вывод
PвыхPoutвыходная мощность биполярного транзисторамощность, которую отдает транзистор в типовой схеме генератора (усилителя) на заданной частоте
термины, относящиеся к максимально допустимым параметрам
IК maxIC maxмаксимальный постоянный ток коллектора-
IБ maxIB maxмаксимальный постоянный ток базы-
IК, и maxICM maxмаксимальный импульсный ток коллектора-
IК нас maxIC sat maxмаксимальный постоянный ток коллектора в режиме насыщения-
UЭБ maxUEB maxмаксимальное постоянное напряжение эмиттер-база-
UКБ maxUCB maxмаксимальное постоянное напряжение коллектор-база-
UКЭ maxUCE maxмаксимальное постоянное напряжение коллектор-эмиттер-
UКЭR maxUCER maxмаксимальное постоянное напряжение коллектор-эмиттермаксимально допустимое постоянное напряжение между выводами коллектора и эмиттера при заданном токе коллектора и сопротивлении в цепи база-эмиттер
UКЭ, и maxUCEM maxмаксимальное импульсное напряжение коллектор-эмиттер-
UКБ, и maxUCBM maxмаксимальное импульсное напряжение коллектор-база-
PК maxPC maxмаксимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора-
Pи maxPRM maxмаксимальная импульсная рассеиваемая мощность биполярного транзистора-
PmaxPtot maxмаксимальная импульсная рассеиваемая мощность транзистора-

* Примечание. Частота, равная произведению модуля коэффициента передачи тока на частоту измерения, которая находится в диапазоне частот, где справедлив закон изменения модуля коэффициента передачи тока 6 дБ на октаву

Вверх