ОБОЗНАЧЕНИЕ ПАРАМЕТРОВ БИПОЛЯРНЫХ ТРАНЗИСТОРОВ (ГОСТ 20003-74)
| Буквенное обозначение | Термин | Определение | |
| отечественное | международное | ||
| IКБО | ICBO | обратный ток коллектора | ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера |
| IЭБО | IEBO | обратный ток эмиттера | ток через эмиттерный переход при заданном обратном напряжении эмиттер-база и разомкнутом выводе коллектора |
| IКЭО | ICEO | обратный ток коллектора при замкнутом выводе базы | ток в цепи коллектор-эмиттер при заданном обратном напряжении коллектор-эмиттер и разомкнутом выводе базы |
| IКЭК | ICES | обратный ток коллектора при короткозамкнутых выводах эмиттера и базы | ток в цепи коллектор-эмиттер при заданном обратном напряжении коллектор-эмиттер и короткозамкнутых выводах эмиттера и базы |
| UКЭО гр | U(L) CEO | граничное напряжение биполярного транзистора | напряжение между выводами коллектора и эмиттера при токе базы, равном нулю и заданном токе эмиттера |
| UКЭ нас | UCE sat | напряжение насыщения коллектор-эмиттер | напряжение между выводами коллектора и эмиттера в режиме насыщения при заданных токах базы и коллектора |
| UБЭ нас | UBE sat | напряжение насыщения база-эмиттер | напряжение между выводами базы и эмиттера в режиме насыщени япри заданных токах базы и коллектора |
| h11э | - | входное сопротивление в режиме малого сигнала в схеме с общим эмиттером | отношение изменения напряжения на входе к вызвавшему его изменению входного тока в режиме короткого замыкания по переменному току на выходе транзистора в схеме с общим эмиттером |
| h11б | - | входное сопротивление в режиме малого сигнала в схеме с общей базой | отношение изменения напряжения на входе к вызвавшему его изменению входного тока в режиме короткого замыкания по переменному току на выходе транзистора в схеме с общей базой |
| h21э | - | коэффициент передачи тока биполярного транзистора в режиме с общим эмиттером | отношение изменения выходного тока к вызвавшему его изменению входного тока в режиме короткого замыкания по переменному току на выходе транзистора в схеме с общим эмиттером |
| h22э | - | выходная полная проводимость биполярного транзистора в режиме малого сигнала при холостом ходе с общим эмиттером | отношение изменения выходного тока к вызвавшему его изменению выходного напряжения в режиме холостого хода входной цепи по переменному току в схеме с общим эмиттером |
| h22б | - | выходная полная проводимость биполярного транзистора в режиме малого сигнала при холостом ходе с общей базой | отношение изменения выходного тока к вызвавшему его изменению выходного напряжения в режиме холостого хода входной цепи по переменному току в схеме с общей базой |
| h21Э | h21E | статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером | отношения постоянного тока к постоянному току базы при заданных постоянном обратном напряжении коллектор-эмиттер и токе эмиттера в схеме с общим эмиттером |
| fh21 | - | предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора | частота, на которой модуль коэффициента передачи тока падает на 3 дБ по сравнению с его низкочастотным значением |
| fгр | fT | граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером | частота, при которой модуль коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером экстраполируется к единице * |
| fmax | fmax | максимальная частота генерации биполярного транзистора | наибольшая частота, при которой транзистор способен генерировать в схеме автогенератора |
| Kш | F | коэффициент шума биполярного транзистора | отношение мощности шумов на выходе транзистора к той ее части, которая вызвана тепловыми шумами сопротивления источника сигнала |
| tрас | ts | время рассасывания для биполярного транзистора | интервал времени между моментом подачи на базу запирающего импульса и моментом, когда напряжение на коллекторе транзистора достигает заданного уровня |
| tвкл | ton | время включения транзистора | интервал времени, являющийся суммой времени нарастания |
| Cэ | Ce | емкость эмиттерного перехода | емкость между выводами эмиттера и базы транзистора при заданных обратном напряжении эмиттер-база и режиме коллекторной цепи |
| Cк | Cc | емкость коллекторного перехода | емкость между выводами базы и коллектора транзистора при заданных обратном напряжении коллектор-база и режиме эмиттерной цепи |
| tк | tc | постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте биполярного транзистора | произведение сопротивления базы на активную емкость коллекторного перехода |
| термины, относящиеся к режимам эксплуатации (измерений) | |||
| IК | IG | постоянный ток коллектора | постоянный ток, протекающий через коллекторный переход |
| IЭ | IE | постоянный ток эмиттера | постоянный ток, протекающий через эмиттерный переход |
| IБ | IB | постоянный ток базы | постоянный ток, протекающий через базовый вывод |
| Pвых | Pout | выходная мощность биполярного транзистора | мощность, которую отдает транзистор в типовой схеме генератора (усилителя) на заданной частоте |
| термины, относящиеся к максимально допустимым параметрам | |||
| IК max | IC max | максимальный постоянный ток коллектора | - |
| IБ max | IB max | максимальный постоянный ток базы | - |
| IК, и max | ICM max | максимальный импульсный ток коллектора | - |
| IК нас max | IC sat max | максимальный постоянный ток коллектора в режиме насыщения | - |
| UЭБ max | UEB max | максимальное постоянное напряжение эмиттер-база | - |
| UКБ max | UCB max | максимальное постоянное напряжение коллектор-база | - |
| UКЭ max | UCE max | максимальное постоянное напряжение коллектор-эмиттер | - |
| UКЭR max | UCER max | максимальное постоянное напряжение коллектор-эмиттер | максимально допустимое постоянное напряжение между выводами коллектора и эмиттера при заданном токе коллектора и сопротивлении в цепи база-эмиттер |
| UКЭ, и max | UCEM max | максимальное импульсное напряжение коллектор-эмиттер | - |
| UКБ, и max | UCBM max | максимальное импульсное напряжение коллектор-база | - |
| PК max | PC max | максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора | - |
| Pи max | PRM max | максимальная импульсная рассеиваемая мощность биполярного транзистора | - |
| Pmax | Ptot max | максимальная импульсная рассеиваемая мощность транзистора | - |
* Примечание. Частота, равная произведению модуля коэффициента передачи тока на частоту измерения, которая находится в диапазоне частот, где справедлив закон изменения модуля коэффициента передачи тока 6 дБ на октаву
